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石英晶体微天平
石英晶体微天平概述

老时时彩开奖历史记录 www.4mt5e.com.cn 石英晶体微天平(Quartz Crystal Microbalance,QCM)它是一种非常灵敏的质量检测仪器,其测量精度可达纳克级,比灵敏度在微克级的电子微天平高100倍,理论上可以测到的质量变化相当于单分子层或原子层的几分之一。石英晶体微天平利用了石英晶体的压电效应,将石英晶体电极表面质量变化转化为石英晶体振荡电路输出电信号的频率变化,进而通过计算机等其他辅助设备获得高精度的数据。石英晶体微天平主要由石英晶体传感器、信号收集、信号检测和数据处理等部分组成。石英晶体微天平作为微质量传感器具有结构简单、成本低、灵敏度高、测量精度可以达到纳克量级的优点,被广泛应用于化学、物理、生物、医学和表面科学等领域中,用以进行气体、液体的成分分析以及微质量的测量、薄膜厚度及粘弹性结构检测等。

分析仪器

石英晶体微天平解决方案

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耗散型石英晶体微天平

耗散型石英晶体微天平

  • 品牌: 西班牙AWSensors
  • 型号: AWS AF20 RP
  • 产地:西班牙
  • 基于专利的QCM-D技术 用于材料表征与生命科学研究 结合常规QCM芯片、高频QCM芯片与叉指换能器芯片 微流控系统集成了样品、缓冲试剂与废液处理功能 可对试剂和样品分别控温 测试系统配置灵活,1-4个通道

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多参数石英晶体微天平

多参数石英晶体微天平

  • 品牌: 西班牙AWSensors
  • 型号: AWS A20 RP
  • 产地:西班牙
  • 测试系统配置灵活,1-4个通道 石英传感器频率变化和导纳-频率特征谱来检测芯片表面质量和结构变化 具有倍频操作模式,可给出薄膜的粘度,弹性模量,粘性模量,厚度等信息。 测试频率高达160MHz,灵敏度可达0.05ng/cm2。 软件自动寻找基频 可控温

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石英晶体微天平

石英晶体微天平

  • 品牌:
  • 型号: Q-sense Initiator
  • 产地:芬兰
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Q-Sense扩展版单通道石英晶体微天平

Q-Sense扩展版单通道石英晶体微天平

  • 品牌:
  • 型号: Explorer
  • 产地:瑞典
  • **********仪器简介**********QCM-D技术的核心是石英晶体传感器,它由石英晶体夹在两片电极中间形成三明治结构。在电极两端加入一个交流电压,在传感器的共振频率处引发一个小的剪切振动,当交流电压关闭后,振动呈指数衰减,这个衰减被记录下来,得到共振频率(f)和耗散因子(D)两个参数。对于薄层硬质薄膜,可以使用Sauerbrey关系和公式,根据传感器振动计算吸附层的质量。当沉积的薄膜松散和粘性时,能量通过薄膜上的摩擦被消耗,传感器的振动发生衰减,耗散因子提供了传感器上吸附的薄膜的结构信息。通过使用多个频率和耗散因子数据,使用粘弹性模型而非Sauerbrey关系,我们可以计算得到质量(mass)、厚度(thickness)、粘度(viscosity)和弹性(elasticity)。越来越多发表的科学文献证明了QCM-D系统的技术可靠性。该技术的核心是石英晶体在负载电压下以一个特定频率振荡。当晶体上的质量改变时,振荡的共振频率也会随之变化。通过这种方法,可以在纳克级灵敏度上测定质量变化。这种独特的Q-Sense专利设计可以同时测量耗散因子,从而提供薄膜的结构和粘弹性信息。它可以提供诸如吸附膜的分子结构、厚度、水含量的信息。此外还可以检测反应前、进行中和结束后的表面吸附层的变化。耗散因子是指当电路断开后震荡的晶体频率降低到0的时间快慢。任何可在芯片上形成薄膜的物质都可以进行免标记测试,这些物质包括聚合物、金属和化学改性表面。实时测试系统每秒可提供高达200个数据点。**********产品优势**********●追踪表/界面变化凭借着纳克级的灵敏度,Q-SenseExplorer可以精确测量吸附层的质量变化,结构和粘弹性质。它可以区分两个相似吸附层,或者观测相转变或吸附层的结构变化。不仅如此,两种类型相似层的吸附,吸附层相转变或者结构变化,都可以通过QCM-D检测出来?!袷凳狈治雒棵爰锹几叽?00个数据点,Q-Sense系统可以让您实时、完整地跟踪分子的相互作用?!褡杂傻谋砻嫜≡窠鹗?,聚合物,化学改性表面,只要是能在芯片表面上铺展成薄膜的材料,都可以成为我们的定制芯片涂层?!裾褰饩龇桨窺-Sense提供易于上手的整体解决方案。 Q-SenseExplorer系统包括仪器、软件、电脑和安装教程。Q-Sense也提供技术培训和应用支持?!竦ネǖ来衅飨低辰舸?、易用、免标记的单通道传感器设计保证您进行可靠稳定的QCM-D测试,同时具有极佳的可重复性?!窨裳∧?榭商峁┤绲缁Ш痛翱谀?榈雀郊??。**********仪器原理**********Q-Sense Explorer是一种检测吸附在表面上的分子反应机制的实时分析仪器。当分子层在传感器表面质量发生变化或者结构发生改变时, Explorer可以测量分子层的变化。在材料、蛋白质和表面活性剂等领域的研究中,Q-Sense Explorer设备起到了关键作用。从快速仪器入门使用,到高质量数据分析,Q-Sense Explorer提供了一套完整的解决方案。仪器为单通道测试???,并且该系统提供可选的窗口???,可以进行芯片表面即时光学观测。Explorer系统的紧凑设计同样可以对芯片上的反应进行光谱研究,如光催化反应(紫外修复)和即时显微研究(细胞在表面吸附)。我们的产品提供包括硬件、软件、技术支持和让您可以快速开始研究所需的介绍、培训以及实验结果解析。Q-Sense Explorer设备基于极其灵敏和快捷的技术,带耗散因子检测的石英晶体微天平(QCM-D)。该设备的核心是传感器在加载电压的作用下以特定频率下振荡。当传感器上的质量发生变化时,其振荡频率会随之变化(1)。断开电路会导致振荡衰减。衰减速率或者耗散因子与传感器上的分子层粘弹性有关(2)。通过测定频率和耗散,QCM-D可以分析吸附在传感器表面的分子层状态,包括质量、厚度和结构性质(粘弹性)。**********使用方法********************技术参数**********传感器数量1个传感器上方体积~40 μL最小样品体积~300 μL工作温度15-65 °C,由软件控制,精确度±0.02 °C,可提供高温???,量程4~150°C常规流速0-1 mL/min清洗所有与液体接触元件均可拆卸,并可在超声波浴中清洗传感器晶体5 MHz,直径14 mm,抛光,AT切割,金电极频率范围1-70 MHz (对于5 MHz晶片,从7个频率到13个泛频,最高至65 MHz)最大时间分辨率,1个频率最高达每秒200个数据点液相中常规质量精度与最大质量精度~ 1.8 ng/cm2(18 pg/mm),~ 0.5 ng/cm2(5 pg/mm)液相中常规耗散因子精度与最大耗散因子精度~0.1*10-6,~0.04*10-6液相典型峰间噪音(RMS)~ 0.16 Hz (0.04 Hz)**********具体应用领域如下**********●生物材料表面分析●生物传感器的研究●蛋白质的相互作用●膜表面的吸附/解析●生物膜表面DNA的杂交●酶的降解●聚电解质单/多层膜的研究●细胞在不同表面的吸附●靶向药物的研究●催化、腐蚀等研究●高分子溶涨、结构改变、等特性的研究●高分子材料的生物相容性等

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Q-Sense卓越版四通道石英晶体微天平

Q-Sense卓越版四通道石英晶体微天平

  • 品牌:
  • 型号: Analyzer
  • 产地:瑞典
  • **********仪器简介**********QCM-D技术的核心是石英晶体传感器,它由石英晶体夹在两片电极中间形成三明治结构。在电极两端加入一个交流电压,在传感器的共振频率处引发一个小的剪切振动,当交流电压关闭后,振动呈指数衰减,这个衰减被记录下来,得到共振频率(f)和耗散因子(D)两个参数。 对于薄层硬质薄膜,可以使用Sauerbrey关系和公式,根据传感器振动计算吸附层的质量。当沉积的薄膜松散和粘性时,能量通过薄膜上的摩擦被消耗,传感器的振动发生衰减,耗散因子提供了传感器上吸附的薄膜的结构信息。通过使用多个频率和耗散因子数据,使用粘弹性模型而非Sauerbrey关系,我们可以计算得到质量(mass)、厚度(thickness)、粘度(viscosity)和弹性(elasticity)。耗散型石英微晶体天平QCM-DAnalyzer作为Q-Sense公司具有耗散因子检测功能的第二代石英晶体微量天平,可以对多种不同类型表面的分子相互作用和分子吸附进行研究,应用范围包括蛋白质、脂质、聚电解质、高分子和细胞/细菌等与表面或与已吸附分子层之间的相互作用。Analyzer可以测定非常薄的吸附层的质量,并同步提供如粘弹性等吸附层结构信息。它基于Qsense QCM-D专利技术,非常灵敏和快速,可提供多个频率和耗散因子数据,用于充分了解在传感器表面吸附的分子的状态。**********产品优势**********●实时追踪分子运动Qsense-Analyzer可以实时追踪在芯片表面上发生的分子运动?!癫饬糠肿硬愕闹柿亢秃穸绕窘枳拍煽思兜木?,检测芯片表面分子层的形成过程变成了可能?!穹治龇肿硬愕慕峁剐灾始觳夥肿硬愕母招院腿嵝员浠?。量化表面吸附薄层的粘弹性,剪切模量,粘度和密度?!褡杂傻谋砻嫜≡窠鹗?,聚合物,化学改性表面,只要是能在表面铺展成薄膜的材料,都可以成为我们的定制表面?!馫CM-D联用测试QCM-D仪器提供标准流动池来进行液相实验。此外电化学样品池、光学样品池、湿度样品池、开放样品池、椭偏样品池、高温样品池、ALD样品架等用来进行不同的实验。这些不同的样品池同样可以和其他分析仪器联用,用以提供更丰富、有效的数据?!袼耐ǖ来衅飨低匙ㄎ合嗔鞫笛樯杓?!四通道联装平行试验??椴⑴溆芯肺驴氐ピ魑ㄖ??!裾宓慕饩龇桨?, 更易使用完整的系统包括硬件,软件,动手培训和技术支持。我们还提供数据分析指导的网络讲座、研讨会?!裎扌氡昙?,原位测试从生物医药科学探索,到工业级环境监测,再到清洁用品研发, QCM-D都提供了广泛有效的应用空间。**********仪器原理**********Q-Sense Analyzer是一种检测吸附在表面上的分子反应机制的实时分析仪器。当分子层在传感器表面质量发生变化或者结构发生改变时, Analyzer可以测量分子层的变化。在材料、蛋白质和表面活性剂等领域的研究中,Q-Sense Analyzer设备起到了关键作用。从快速仪器入门使用,到高质量数据分析,Q-Sense Analyzer提供了一套完整的解决方案。仪器有四个流动???,每一个??槎寂浔敢桓龃衅?,可以进行四个平行测试。多种可选???,例如电化学QCM-D,可以进行联用测试。我们的产品提供包括硬件、软件、技术支持和让您可以快速开始研究所需的介绍、培训以及实验结果解析。Q-Sense Analyzer设备基于极其灵敏和快捷的技术,带耗散因子检测的石英晶体微天平(QCM-D)。该设备的核心是传感器在加载电压的作用下以特定频率下振荡。当传感器上的质量发生变化时,其振荡频率会随之变化(1)。断开电路会导致振荡衰减。衰减速率或者耗散因子与传感器上的分子层粘弹性有关(2)。通过测定频率和耗散,QCM-D可以分析吸附在传感器表面的分子层状态,包括质量、厚度和结构性质(粘弹性)。**********使用方法********************技术参数**********传感器数量4个传感器上方体积~40 μL最小样品体积~300 μL工作温度15-65 °C,由软件控制,精确度±0.02 °C,可提供高温???,量程4~150°C常规流速50-200 μL/min (Analyzer);清洗所有与液体接触元件均可拆卸,并可在超声波浴中清洗传感器晶体5 MHz,直径14 mm,抛光,AT切割,金电极频率范围1-70 MHz (对于5 MHz晶片,从7个频率到13个泛频,最高至65 MHz)最大时间分辨率,1个频率最高达每秒200个数据点液相中常规质量精度与最大质量精度~ 1.8 ng/cm2(18 pg/mm),~ 0.5 ng/cm2(5 pg/mm)液相中常规耗散因子精度与最大耗散因子精度~0.1*10-6,~0.04*10-6液相典型峰间噪音(RMS)~ 0.16 Hz (0.04 Hz)**********具体应用领域如下********** ●生物材料表面分析 ●生物传感器的研究 ●蛋白质的相互作用 ●膜表面的吸附/解析 ●生物膜表面DNA的杂交 ●酶的降解 ●聚电解质单/多层膜的研究 ●细胞在不同表面的吸附 ●靶向药物的研究 ●催化、腐蚀等研究 ●高分子溶涨、结构改变、等特性的研究 ●高分子材料的生物相容性等

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Q-Sense全自动八通道石英晶体微天平

Q-Sense全自动八通道石英晶体微天平

  • 品牌:
  • 型号: Pro
  • 产地:瑞典
  • 见微知著, Q-sense Pro**********仪器简介**********QCM-D技术的核心是石英晶体传感器,它由石英晶体夹在两片电极中间形成三明治结构。在电极两端加入一个交流电压,在传感器的共振频率处引发一个小的剪切振动,当交流电压关闭后,振动呈指数衰减,这个衰减被记录下来,得到共振频率(f)和耗散因子(D)两个参数。对于薄层硬质薄膜,可以使用Sauerbrey关系和公式,根据传感器振动计算吸附层的质量。当沉积的薄膜松散和粘性时,能量通过薄膜上的摩擦被消耗,传感器的振动发生衰减,耗散因子提供了传感器上吸附的薄膜的结构信息。通过使用多个频率和耗散因子数据,使用粘弹性模型而非Sauerbrey关系,我们可以计算得到质量(mass)、厚度(thickness)、粘度(viscosity)和弹性(elasticity)。耗散型石英微晶体天平Q-Sense Pro是迄今为止市场上最先进的,自动化程度最高的QCM分析仪器,这种优势使得它具有很高的工作效率和实验可重复性。而简易的程序编辑和高精度的溶液流量控制使得样品得到最有效率的使用。操作简单、技术多样化、多种修饰表面的传感器使得您可以使用Q-Sense Pro创造出无限的可能。尽情享受实验的乐趣吧!**********产品优势**********●全自动的启钥系统集成化的样品处理方式以及直观的软件操控使得仪器操作变得易于上手。预先编辑的实验程序使得仪器运行再也不需要人为监管?!竦椭?0μL的样品量Q-Sense Pro能够进行精确的样品处理,从而使样品得到有效利用?!癖憬莞咝О送ǖ来衅髂?榭梢蕴崆吧柚煤冒烁鐾绞笛?,可减少动手时间,提高了实验效率?!窳榛畹牧髁靠刂坪图叩氖笛橹叵中远懒⒐ぷ鞯母呔茸⑸浔帽Vち怂母鐾ǖ栏叨染返亩懒⒘髁靠刂???杀喑炭刂蒲坊旌先缱远放ǘ忍荻缺Vち耸笛榧叩闹叵中??!衲谥玫奈露瓤刂剖匝槲露瓤捎扇砑刂圃?到70℃之间??筛菔笛樾枰渲迷ぜ尤然蛟そ滴碌难芳??!馫CM-D技术与其他技术联用Q-Sense Pro兼容Q-Sense公司其他配件。通过加载单通道样品池,可以将您的QCM-D实验与椭偏仪、电化学或显微镜等技术联用。**********仪器原理**********Q-Sense Pro是一种检测吸附在表面上的分子反应机制的实时分析仪器。当分子层在传感器表面质量发生变化或者结构发生改变时, Pro可以测量分子层的变化。在材料、蛋白质和表面活性剂等领域的研究中,Q-Sense Pro设备起到了关键作用。从快速仪器入门使用,到高质量数据分析,Q-Sense Pro提供了一套完整的解决方案。仪器有八个流动???,每一个??槎寂浔敢桓龃衅?,最多可以进行四个平行测试。多种可选???,例如电化学QCM-D,可以进行联用测试。我们的产品提供包括硬件、软件、技术支持和让您可以快速开始研究所需的介绍、培训以及实验结果解析。Q-Sense Pro 设备基于极其灵敏和快捷的技术,带耗散因子检测的石英晶体微天平(QCM-D)。该设备的核心是传感器在加载电压的作用下以特定频率下振荡。当传感器上的质量发生变化时,其振荡频率会随之变化(1)。断开电路会导致振荡衰减。衰减速率或者耗散因子与传感器上的分子层粘弹性有关(2)。通过测定频率和耗散,QCM-D可以分析吸附在传感器表面的分子层状态,包括质量、厚度和结构性质(粘弹性)。**********使用方法********************技术参数**********传感器数量8个(流动模式中最多4个平行测试)传感器上方体积~15μL最小样品体积~50μL工作温度4-70 °C,由软件控制,精确度±0.02 °C常规流速20-100 μL/min最小分配/等分体积1μL清洗所有与液体接触元件均可拆卸,并可在超声波浴中清洗传感器晶体5 MHz,直径14 mm,抛光,AT切割,金电极样品数量3*12样品架,样品管径13, 16或18mm;或3*24样品架,2mL微量管;或1*96微孔板+上述任意样品架频率范围1-70 MHz (对于5 MHz晶片,从7个频率到13个泛频,最高至65 MHz)最大时间分辨率,1个频率最高达每秒200个数据点液相中常规质量精度与最大质量精度~ 1.8 ng/cm2(18 pg/mm),~ 0.5 ng/cm2(5 pg/mm)液相中常规耗散因子精度与最大耗散因子精度~0.1*10-6,~0.04*10-6液相典型峰间噪音(RMS)~ 0.16 Hz (0.04 Hz)操作系统USB 2.0,Windows 7,Inter i5处理器(或相当),8GB或者更高内存,推荐分辨率1680*1050 pixels的22寸显示器输入/输出拟合的粘度、弹性、厚度以及动力学参数,Excel, BMP, JPG, WMF, GIF, PCX, PNG, TXT仪器尺寸70cm*67cm*57cm**********具体应用领域如下**********●生物材料表面分析●生物传感器的研究●蛋白质的相互作用●膜表面的吸附/解析●生物膜表面DNA的杂交●酶的降解●聚电解质单/多层膜的研究●细胞在不同表面的吸附●靶向药物的研究●催化、腐蚀等研究●高分子溶涨、结构改变、等特性的研究●高分子材料的生物相容性等

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铝酸镁(MgAl2O4)晶体基片

铝酸镁(MgAl2O4)晶体基片

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: MgAl2O4
  • 产地:
  • 产品名称:铝酸镁(MgAl2O4)晶体基片产品简介:铝酸镁(尖晶石)单晶广泛应用于声波和微波器件及快速IC外延基片。同时研究发现它是好的III-V族氮化物器件的衬底。MgAl2O4晶体由于很难维持它的单晶结构而难以生长,经过几年的努力,目前科晶公司能够提供世界上质量最优尺寸的MgAl2O4晶体。技术参数:晶体结构立方晶格常数a=8.085?生长方法提拉法熔点2130℃密度3.64g/cm3莫氏硬度8 Mohs热膨胀系数7.45×10-6/℃声速6500m/s ,[100]剪切波传播损耗(9GHz)6.5db/us颜色及外观白色透明产品规格:常规晶向:<100>、<110>、<111>公差:+/-0.5度常规尺寸:dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛;表面粗糙度Ra:<5A注:可按客户要求定制方向和尺寸。标准包装:1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装相关产品:ZnOSiCGaNMgAl2O4(spinel)LiGaO2OtherAl2O3AlN template基片包装盒系列等离子清洗机薄膜制备设备

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铝酸锂(LiAlO2)晶体基片

铝酸锂(LiAlO2)晶体基片

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: LiAlO2
  • 产地:
  • 产品名称:铝酸锂(LiAlO2)晶体基片产品简介:铝酸锂单晶与氮化镓的晶格失配率非常?。?.4%)而成为氮化镓薄膜的优质基片。技术参数:晶体结构四方晶格常数(?)a=5.17 c=6.26与GaN失配率(001)1.4%熔点(℃)1900密度(g/cm3)2.62硬度(Mohs)7.5产品规格:常规晶向:<100>, <001>公差:+/-0.5度;常规尺寸:dia2”x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm;抛光情况:细磨、单抛或双抛;注:可按客户需求定制方向和尺寸。标准包装:1000级超净室,100级超净袋封装相关产品:Crystal wafer A-Z等离子清洗机基片包装盒系列切割机薄膜制备设备

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氮化镓(GaN)晶体基片

氮化镓(GaN)晶体基片

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: G-a-N
  • 产地:
  • 产品名称:氮化镓(GaN)晶体基片产品简介:GaN易与AlN、InN等构成混晶,能制成各种异质结构,已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高,有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素).科晶公司将为您提供高品质低价位的氮化镓晶体和基片。技术参数:制作方法:HVPE(氢化物气象外延法)传导类型:N型;半绝缘型电阻率:R<0.5Ω.cm;R>106Ω.cm表面粗糙度:<0.5nm位错密度:<5x106Ω.cm可用表面积:>90%TTV:≤15umBow:≤20um产品规格:晶体方向:<0001>;常规尺寸:dia50.8mm±1mmx0.35mm±25um;注:可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装:1000级超净室100级超净袋或单片盒装相关产品:Thin Films A-ZCrystal wafer A-Z等离子清洗机基片包装盒系列切割机薄膜制备设备

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进口镓酸锂(LiGaO2)晶体基片

进口镓酸锂(LiGaO2)晶体基片

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: LiGaO2
  • 产地:
  • 产品名称:进口镓酸锂(LiGaO2)晶体基片技术参数:基本特性晶体结构正交晶格常数a=5.406 ?b=5.012 ? c=6.379 ?生长方法提拉法密度4.18 g/cm3熔点1600oC硬度7.5颜色和外观白色到棕色,没有挛晶和包裹物产品规格:常规晶向:<001 >、<100>;常规尺寸:10 x 10 x 0.5 mm;抛光情况:外延抛光基片;单抛或双抛;注:可根据客户需求提供特殊尺寸和晶向标准包装:1000级超净室100级超净袋相关产品:A-Z系列晶体列表等离子清洗机基片包装盒系列切割机旋转涂层机

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三氧化二铝(Al2O3)晶体基片

三氧化二铝(Al2O3)晶体基片

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: Al2-O-3
  • 产地:
  • 产品名称:三氧化二铝(Al2O3)晶体基片产品简介:Al2O3单晶(Sapphire,又称白宝石,蓝宝石)有着很好的热特性,极好的电气特性和介电特性,并且防化学腐蚀,它耐高温,导热好,硬度高,透红外,化学稳定性好。广泛用于耐高温红外窗口材料和III-V族氮化物及多种外延薄膜基片材料,为满足日益增长的蓝、紫、白光发光二极管(LED)和蓝光激光器(LD)的需要,科晶公司专业生产高质量的蓝宝石晶体和外延抛光基片,将为您提供大量高质量低价格的单晶和基片。技术参数:晶体结构六方 a =4.758 ? c= 12.992 ?结晶方向(11-20 ) - a plane: 2.379 ? (1-102) - r plane: 1.740 ?(10-10) - m plane: 1.375 ? (0001) - c plane: 2.165 ?单晶纯度> 99.99%熔点2040oC密度3.98 g/cm3硬度9 ( mohs)热膨胀7.5(x10-6/oC)热容0.10( cal /oC)热导46.06 @ 0oC 25.12 @ 100oC, 12.56 @ 400oC( W/(m.K) )介电常数~ 9.4 @300K at A axis ~ [email protected] 300K at C axis正切损耗< 2x10-5at A axis , <5 x10-5at C axis产品规格:常规晶向:C, A, M, R 公差:+/-0.2度产品尺寸:dia3"x0.5mm,dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm抛光情况:单抛或双抛,Ra<5A注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。标准包装:1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装相关产品:Crystal wafer A-Z等离子清洗机基片包装盒系列切割机薄膜制备设备

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Ge晶体基片

Ge晶体基片

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: Ge
  • 产地:
  • 产品名称:Ge晶体基片产品简介:化学符号为Ge,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底。技术参数:晶体结构:立方:a=5.6754?;生长方法:提拉法;密度:5.765g/cm3熔点:937.4℃热传导性:640掺杂物质:不掺杂;掺Sb;掺Ga类型:/;N;P;电阻率W.cm:>35;0.05;0.05-0.1;EPD:<4x103/cm2;产品规格:晶体方向:<111>,<100>and<110>±0.5o标准尺寸:dia1"x0.50mm;dia2"x0.5mm;dia4"x0.5mm(<110> Ra<5A,不化抛)注:可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装:1000级超净室100级超净袋或单片盒装相关产品:A-Z系列晶体列表清洗机基片包装盒系列划片机旋转涂层机

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硅锗(Si-Ge)晶体基片

硅锗(Si-Ge)晶体基片

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: Si-Ge
  • 产地:
  • 产品名称:硅锗(Si-Ge)晶体基片产品简介:Al2O3(Sapphire,又称白宝石,蓝宝石)有着很好的热特性,极好的电气特性和介电特性,并且防化学腐蚀,它耐高温,导热好,硬度高,透红外,化学稳定性好。广泛用于耐高温红外窗口材料和III-V族氮化物及多种外延薄膜基片材料,为满足日益增长的蓝、紫、白光发光二极管(LED)和蓝光激光器(LD)的需要,科晶公司专业生产高质量的蓝宝石晶体和外延抛光基片,将为您提供大量高质量低价格的单晶和基片。技术参数:单晶:Si-Ge(wt2%)导电类型:Ptype电阻:7-8ohm-cm抛光情况:单面抛光产品规格:常规晶向:<100>;常规尺寸:dia4″x0.5mm;注:可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装:1000级超净室100级超净袋相关产品:A-Z系列晶体列表等离子清洗机基片包装盒系列切割机旋转涂层机

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AL2O3晶棒

AL2O3晶棒

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: AL2--O3
  • 产地:
  • 产品名称:三氧化二铝(Al2O3)产品简介:Al2O3(Sapphire,又称白宝石,蓝宝石)有着很好的热特性,极好的电气特性和介电特性,并且防化学腐蚀,它耐高温,导热好,硬度高,透红外,化学稳定性好。广泛用于耐高温红外窗口材料和III-V族氮化物及多种外延薄膜基片材料,为满足日益增长的蓝、紫、白光发光二极管(LED)和蓝光激光器(LD)的需要,科晶公司专业生产高质量的蓝宝石晶体和外延抛光基片,将为您提供大量高质量低价格的单晶和基片。技术参数:晶体结构:六方a=4.758?c=12.992?结晶方向:(11-20)-aplane:2.379?(1-102)-rplane:1.740?(10-10)-mplane:1.375?(0001)-cplane:2.165?单晶纯度:>99.99%熔点:2040oC密度:3.98g/cm3硬度:9(mohs)热膨胀:7.5(x10-6/oC)热容:0.10(cal/oC)热导:[email protected]@100oC,[email protected](W/(m.K))介电常数:[email protected][email protected]正切损耗:<2x10-5atAaxis,<5x10-5atCaxis产品规格:常规晶向:<0001>、<11-20>、<10-10>;常规尺寸:dia2″x0.5mm;厚度公差:+/-0.05mm注:可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装:1000级超净室100级超净袋相关产品:Other SapphireGaNAlN templateZnO金刚石刀真空吸笔基片包装盒系列薄膜制备设备

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非极性GaN晶体基片

非极性GaN晶体基片

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: GaN
  • 产地:
  • 产品名称:非极性氮化镓(GaN)晶体基片产品简介:技术参数:晶体定位面:Aplane<11-20>+/-1;Mplane<1-100>+/-1°.传导类型:N型;半绝缘型电阻率:R<0.5Ω.cm;R>106Ω.cm表面粗糙度:<0.5nm位错密度:<5x106Ω.cm可用表面积:>90%TTV:≤15um;产品规格:常规尺寸:10x5x0.5mm;厚度公差:+/-0.05mm;注:可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装:1000级超净室100级超净袋相关产品:Thin Films A-ZCrystal wafer A-Z等离子清洗机基片包装盒系列切割机薄膜制备设备

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铝酸锶钽镧(LSAT)晶体基片

铝酸锶钽镧(LSAT)晶体基片

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: LSAT
  • 产地:
  • 产品名称:铝酸锶钽镧(LSAT)晶体基片产品简介:LSAT(La,Sr)(Al,Ta)O3是一种新的无孪晶钙钛矿晶体。LSAT与高温超导体及多种氧化物材料有完好的匹配。LSAT的熔点低,用提拉法生长,成本比较低。因此,它有望取代LaAlO3/SrTiO3作为外延氧化物薄膜单晶基片广泛用于巨磁铁电及超导器件。技术参数:化学式:(La,Sr)(Al,Ta)O3晶体结构:立方:a=3.868?生长方法:提拉法密度:6.74g/cm3熔点:1840℃硬度:6.5Mohs热膨胀系数:10×10-6/K介电常数:~22颜色及外观:根据退火状况由无色到浅棕色,无孪晶及可见畴产品规格:常规尺寸:10x5x0.5mm、10x10x0.5mm、dia2″x0.5mm;基底常规晶向:<100>、<110>、<111>、晶向公差:+/-0.5度表面粗糙度Ra:<5A注:可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装:1000级超净室100级超净袋或单片盒装相关产品:LSATLaAlO3MgONdCaAlO4NdGaO3SrTiO3SrLaAlO4SrLaGaO4YSZ

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钛酸锶(SrTiO3)双晶基片

钛酸锶(SrTiO3)双晶基片

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: Sr-TiO3
  • 产地:
  • 产品名称:钛酸锶(SrTiO3)双晶基片产品简介:公司为中国唯一可以批量制作双晶产品的单位??商峁㏒rTiO3, LaAlO3, LSAT双晶基片,用于超导SQUID器件,广泛用于心磁,共振等领域。技术参数:晶体结构立方晶格常数a=3.905?生长方法火焰法熔点2080℃密度5.175g/cm3莫氏硬度6 Mohs热膨胀系数9.4×10-6/℃介电常数~ 300损耗正切[email protected] 300K , ~3 [email protected]颜色及外观透明(根据退火状态有时有轻微的棕色)无孪晶化学稳定性不溶于水产品规格:角度:10度,24度,36度等尺寸: 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm, 5x5x0.5mm单抛,Ra<5A注:可根据客户需求定制相应的尺寸和方向标准包装:1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装相关产品:Thin Films A-ZCrystal wafer A-Z等离子清洗机基片包装盒系列切割机薄膜制备设备

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铝酸镧(LaAlO3)晶体基片

铝酸镧(LaAlO3)晶体基片

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: LaAlO3
  • 产地:
  • 产品名称:铝酸镧(LaAlO3)晶体基片产品简介:LaAlO3晶体对多种钙钛矿结构材料晶格匹配好,是外延生长高温超导薄膜和巨磁阻薄膜极好的衬底材料,其介电性能适合于低损耗微波及介电共振方面的应用??凭Ч臼鞘澜缟舷钟新了犸绲ゾё畲蟮纳こЪ?,每月能生产10~20公斤,可以提供棒、切割毛坯片及外延抛光基片,能满足全球市场上的各种需求。技术参数:晶向:<100>、<110>、<111>、晶体结构:赝立方晶格常数:a=3.792?生长方法:提拉法熔点:2080℃密度:6.52g/cm3莫氏硬度:6.5Mohs热膨胀系数:10×10-6/℃介电常数:25损耗正切(10GHz):~3×[email protected],~0.6×[email protected]颜色及外观:依退火状况而不同,由棕黄色到褐色,抛光基片有自然孪晶畴?;榷ㄐ裕菏椅孪虏蝗苡诳笪锼?,温度大于150℃时可溶于H3PO4产品规格:常规尺寸:5x5x0.5mm、10x10x0.5mm、dia1″x0.5mm、dia2″x0.5mm;常规晶向:<100>、<110>、<111>、晶向公差:+/-0.5度抛光情况:单抛或双抛(<110> Ra<15A,<100>和<111> Ra<5A)注:可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装:1000级超净室100级超净袋或单片盒装相关产品:LSATLaAlO3GGGNdCaAlO4YSZSrTiO3SrLaAlO4NdGaO3Crystal A-Z基片包装盒系列RTP快速退火炉旋转涂层机

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铝酸钕钙(NdCaAlO4)晶体基片

铝酸钕钙(NdCaAlO4)晶体基片

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: NdCaAlO4
  • 产地:
  • 产品名称:铝酸钕钙(NdCaAlO4)晶体基片产品简介:技术参数:晶体结构:四方晶格常数:a=3.685c=12.12生长方法:提拉法熔点:1850℃密度:5.56g/cm3莫氏硬度Mohs热膨胀系数12×10-6/℃介电常数19.5产品规格:常规尺寸:10x10x0.5mm、5x5x0.5mm;常规晶向:<001>晶向公差:+/-0.5度抛光情况:单抛或双抛表面粗糙度Ra<5A注:可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装:1000级超净室100级超净袋或单片盒装相关产品:LSATLaAlO3MgO薄膜制备设备NdCaAlO4NdGaO3SrTiO3基片包装盒系列SrLaAlO4SrLaGaO4YSZ等离子清洗机

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氧化镁(MgO)

氧化镁(MgO)

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: MgO
  • 产地:
  • 产品名称:氧化镁(MgO)晶体基片产品简介:氧化镁(MgO)是极好的单晶基片而广泛应用于制作铁电薄膜、磁学薄膜、光电薄膜和高温超导薄膜等,由于它在微波波段的介电常数和损耗都很小,且能得到大面积的基片(直径2英及更大),所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一??捎糜谥谱饕贫ㄑ渡璞杆璧母呶鲁嘉⒉瞬ㄆ鞯绕骷???凭Ч居靡恢痔厥獾牡缁》ㄉこ龈叽慷鹊某叽缭?”x2”x1”的低成本的MgO单晶,采用化学机械抛光制备出高质量原子级表面的基片。技术参数:晶体结构立方晶格常数a=4.216?生长方法电弧法熔点2850℃密度3.58g/cm3莫氏硬度5.5Mohs热膨胀系数12.8×10-6/℃介电常数9.8光学透过>90%@200~400nm>98%500~1000nm晶体解理面<100>产品规格:常规尺寸:10x10x0.5mm、5x5x0.5mm、dia1″x0.5mm、dia2″x0.5mm;常规晶向:<100>、<110>、<111>、晶向公差:+/-0.5度抛光情况:单抛或双抛(<111> Ra<15A,<100>和<110> Ra<5A)注:可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装:1000级超净室100级超净袋或单片盒装相关产品:LSATLaAlO3MgONdCaAlO4NdGaO3SrTiO3SrLaAlO4SrLaGaO4YSZ

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铝酸锶镧(LaSrAlO4)晶体基片

铝酸锶镧(LaSrAlO4)晶体基片

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: LaSrAlO4
  • 产地:
  • 产品名称:铝酸锶镧(LaSrAlO4)晶体基片产品简介:铝酸锶镧晶体从熔点温度直至低温下均无孪晶及相变,与高温超导体YBCO具有相同的结构,<001>面与其它衬底相比与YBCO<001>具有适中的晶格失配(2.5~3.5%),同时该晶体的热膨胀系数比其它钙钛矿结构的晶体低,可以在较低的温度下沉积薄膜从而改善晶格失配及减少应力。技术参数:晶体结构四方晶胞参数?a=3.756 c=12.636熔点℃1650密度g/cm35.92介电常数16.8生长方法提拉法产品规格:常规晶向:<001>, <100> 公差:+/-0.5度常规尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm抛光情况:单抛或双抛,Ra<5A可按客户要求定制方向和尺寸。标准包装:1000级超净室100级超净袋包装相关产品:OtherSrLaAlO4LaAlO3MgOLSAT基片包装盒系列NdCaAlO4NdGaO3SrTiO3YSZ旋转涂层机

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镓酸钕(NdGaO3)晶体基片

镓酸钕(NdGaO3)晶体基片

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: NdGaO3
  • 产地:
  • 产品名称:镓酸钕(NdGaO3)晶体基片产品简介:NdGaO3是近十年中发展起来的新型基片,主要用作高温超导体(如YBCO)及磁性材料的外延薄膜生长用基片。由于NdGaO3与YBCO的晶格失配很?。▇0.27%),且无结构相变,在NdGaO3基片上可外延生长质量良好的薄膜。技术参数:晶体结构正交晶体参数?a=5.43, b=5.50, c=7.71熔点℃1600密度g/cm37.57介电常数25生长方法提拉法产品规格:<001>, <110>, <100>公差:+/-0.5度10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x3x0.5mm单抛,Ra<5A注:也可根据客户需求定制相应的尺寸和大小标准包装:1000级超净室,100级超净袋封装相关产品:LSATLaAlO3MgONdCaAlO4NdGaO3SrTiO3SrLaAlO4SrLaGaO4YSZ

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钽酸钾(KTaO3)晶体基片

钽酸钾(KTaO3)晶体基片

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: KTaO3
  • 产地:
  • 产品名称:钽酸钾(KTaO3)晶体基片技术参数:分子量268.04晶体结构立方,钙钛矿晶格常数a=3.989?生长方法顶部籽晶熔融法熔点~1500℃密度7.015g/cm3莫氏硬度6Mohs热导率0.17 w/[email protected] 300k折射率2.14产品规格:常规晶向:<100>, <110>, <111>公差:+/-0.5度常规尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm抛光情况:单抛或双抛,Ra<5A注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。标准包装:1000级超净室,100级超净袋封装相关产品:LaAlO3MgOYSZSrLaAlO4切割机RTP快速退火炉基片包装盒系列旋转涂层机

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钛酸锶 (SrTiO3)单晶基片

钛酸锶 (SrTiO3)单晶基片

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: SrTiO3
  • 产地:
  • 产品型号:SrTiO3钛酸锶单晶基片产品简介:SrTiO3单晶与多种钙钛矿结构材料晶格匹配好,它是高温超导薄膜和多种氧化物薄膜优质的衬底材料,同时还广泛应用于特殊光学窗口及高质量的溅射靶材??凭Ч居涤卸懒⑷咨?,从高质量SrTiO3粉末,SrTiO3单晶到多种尺寸外延抛光基片,可为全球提供高质量低价位的SrTiO3单晶及基片。技术参数:晶体结构立方晶格常数a=3.905?生长方法火焰法熔点2080℃密度5.175g/cm3莫氏硬度6 Mohs热膨胀系数9.4×10-6/℃介电常数~ 300损耗正切[email protected] 300K , ~3 [email protected]颜色及外观透明(根据退火状态有时有轻微的棕色)无孪晶化学稳定性不溶于水产品规格:<100>, <110>, <111>公差:+/-0.5度dia30x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm单抛或双抛,Ra<5A;可按客户要求定制方向和尺寸。标准包装:等离子清洗器专业清洗(详情请点击),1000级超净室,100级超净袋封装,相关产品:SrTiO3LSATLaAlO3MgO旋转涂层机SrLaAlO4NdCaAlO4SrTiO3YSZ基片包装盒系列

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氧化锆(YSZ)晶体基片

氧化锆(YSZ)晶体基片

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: 氧化锆(YSZ)晶体基片
  • 产地:
  • 产品名称:氧化锆(YSZ)晶体基片产品简介:氧化锆(ZrO2)由于ZrO2单晶需掺入钇(Y)以稳定其结构, 一般实际使用的是YSZ单晶――加入钇稳定剂的氧化锆单晶。它机械、化学稳定性好,价格较低因而得以广泛应用。技术参数:化学分子式(Zr,Y)O2with Zr : Y = 91:9晶体结构立方晶格常数a = 5.125 ?密度5.8 g / cm3纯度99.99%熔点2800oC热膨胀系数10.3x10-6/oC介电常数27晶体生长方法弧熔法产品规格:<100>, <110>, <111>公差:+/-0.5度dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm单抛或双抛,Ra<5A注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。标准包装:1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装相关产品:A-Z系列晶体列表清洗机基片包装盒系列划片机旋转涂层机

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Si+SiO2薄膜

Si+SiO2薄膜

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: Si+SiO2薄膜
  • 产地:
  • 产品名称:Si+SiO2薄膜产品简介:技术参数:常规晶向:<100>,<111>,掺杂类型:N型掺杂或者P型掺杂制作方法:干法或湿法薄膜厚度:常规厚度300nmSiO2常规尺寸:dia4"x0.5mm;dia2"x0.5mm;单面氧化或者双面氧化可按照客户要求加工氧化层厚度:50nm~1um标准包装:1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装

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Si+SiO2+Ti+Pt (国产料)

Si+SiO2+Ti+Pt (国产料)

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: Si+SiO2+Ti+Pt (国产料)
  • 产地:
  • 产品名称:Si+SiO2+Ti+Pt薄膜(国产料)产品简介:薄膜厚度:SiO2=500nmTi=50nmPt=200nm;P型掺B电阻率:<0.005ohm.cm常规尺寸:dia4"x0.5mm;10x10x0.5mm;单抛可按照客户要求加工尺寸标准包装:1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装

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硅(Si)晶体基片

硅(Si)晶体基片

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: 硅(Si)晶体基片
  • 产地:
  • 产品名称:硅(Si)晶体基片产品简介:化学符号为Si,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。技术参数:掺杂物质:掺B掺P类型:PN电阻率Ω.cm:10-3~4010-3~40EPD(cm-2):≤100≤100氧含量(/cm3):≤1.8x1018≤1.8x1018碳含量(/cm3):≤5x1016≤5x1016常规规格:晶体方向:<111>、<100>、<110>±0.5°或特殊的方向;常规尺寸:dia1"x0.30mm;dia2"x0.5mm;dia3"x0.5mm;dia4"x0.6mm;表面粗糙度:Ra<10A可提供热氧化SiO2层的Si片;Si+SiO2+Ti+Pt的基片!欢迎您的咨询!标准包装:1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装相关产品:A-Z系列晶体列表清洗机基片包装盒系列划片机旋转涂层机

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砷化镓(GaAs)晶体基片

砷化镓(GaAs)晶体基片

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: 砷化镓(GaAs)
  • 产地:
  • 产品名称:砷化镓(GaAs)晶体基片产品简介:技术参数:单晶:砷化镓(GaAs)掺杂:None;Si;Cr;Te;Zn导电类型:Si;N;Si;N;P载流子浓度cm-3:/>5x1017/~2x1018>5x1018位错密度cm-2:<5x105生长方法及最大尺寸:LEC&HB?3"常规尺寸:常规晶向:<100>、常规尺寸:10x10x0.5mm;dia2″x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛;表面粗糙度Ra:<15A;注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。备注:1000级超净室100级超净袋相关产品:OtherGaAsInSbInPInAsGaSb基片包装盒系列薄膜制备设备RTP快速退火炉

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砷化铟(InAs)晶体基片

砷化铟(InAs)晶体基片

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: 砷化铟(InAs)晶体基片
  • 产地:
  • 产品名称:砷化铟(InAs)晶体产品简介:技术参数:晶体结构:立方 a=5.4505?生长方法:CZ导电类型:N型掺杂类型:不掺杂载流子浓度:2~5E16/cm3迁移率:>18500cm2/V.S常规尺寸:常规晶向:<100>、<111>;常规尺寸:10x10x0.5mm;dia2″x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛;表面粗糙度Ra:<15A注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。备注:1000级超净室100级超净袋OtherInAsInSbInPGaAsGaSb基片包装盒系列薄膜制备设备RTP快速退火炉

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锑化铟(InSb)晶体基片

锑化铟(InSb)晶体基片

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: 锑化铟(InSb)晶体基片
  • 产地:
  • 产品名称:锑化铟(InSb)晶体基片产品简介:技术参数:单晶InSb掺杂None;Te;Ge导电类型N;N;P载流子浓度cm-31-5x10141-2x1015位错密度cm-2<2x102产品规格:标准尺寸:2"x0.5mm,表面粗糙度Ra:<15A注:可按客户需求定制特殊的方向和尺寸。标准包装:1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装相关产品:OtherInSbInAsInPGaAsGaSb基片包装盒系列薄膜制备设备RTP快速退火炉

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锑化镓(GaSb)晶体基片

锑化镓(GaSb)晶体基片

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: 锑化镓(GaSb)晶体基片
  • 产地:
  • 产品名称:锑化镓(GaSb)晶体基片产品简介:技术参数:单晶GaSb掺杂none;None, high R;Zn;Te;Te, high R导电类型PP-P+N载流子浓度cm-31-2x1017 1-5x1016 1-5x10182-6x10171-5x1016位错密度cm-2<103生长方法及最大尺寸LEC? 3"产品规格:标准尺寸:<100>, dia2"x0.5mm, 单抛, ?3"x 0.5mm.表面粗糙度Ra:<15A可按客户需求定制相应的方向和尺寸。标准包装:1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装相关产品:OtherGaSbInAsInPGaAsInSb基片包装盒系列薄膜制备设备RTP快速退火炉

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磷化镓(GaP)晶体基片

磷化镓(GaP)晶体基片

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: 磷化镓(GaP)晶体基片
  • 产地:
  • 产品名称:磷化铟(InP)晶体基片产品简介:技术参数:单晶:InP掺杂:None;Sn;S;Fe:Zn硬度:3.0莫氏硬度密度:4.78g/cm3导电类型:N;N;N;Si;P折射率:3.45载流子浓度cm-3:1-2x1016、1-3x1018、1-4x1018、6-4x1018位错密度cm-2:<5x104生长方法:LEC温度:1072℃弹性模量:7.1E11dynCm-2常规尺寸:常规晶向:<100>;常规尺寸:10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛;表面粗糙度Ra:<15A注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。备注:1000级超净室100级超净袋相关产品:OtherInPInSbOtherInAsGaAsGaSb基片包装盒系列薄膜制备设备RTP快速退火炉

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磷化铟(InP)晶体基片

磷化铟(InP)晶体基片

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: 磷化铟(InP)晶体基片
  • 产地:
  • 产品名称:磷化铟(InP)晶体基片产品简介:技术参数:单晶:InP掺杂:None;Sn;S;Fe:Zn硬度:3.0莫氏硬度密度:4.78g/cm3导电类型:N;N;N;Si;P折射率:3.45载流子浓度cm-3:1-2x1016、1-3x1018、1-4x1018、6-4x1018位错密度cm-2:<5x104生长方法:LEC温度:1072℃弹性模量:7.1E11dynCm-2常规尺寸:常规晶向:<100>;常规尺寸:10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛;表面粗糙度Ra:<15A注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。备注:1000级超净室100级超净袋相关产品:OtherInPInSbOtherInAsGaAsGaSb基片包装盒系列薄膜制备设备RTP快速退火炉

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Ge晶体基片

Ge晶体基片

  • 品牌: 合肥科晶
  • 型号: Ge晶体基片
  • 产地:
  • 产品名称:Ge晶体基片产品简介:化学符号为Ge,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。技术参数:密度:5.765g/cm3;熔点:937.4℃;热传导性:640;掺杂物质:不掺杂;掺Sb;掺In或Ga;类型:/;N;P;电阻率W.cm:>35;0.05;0.05-0.1;EPD:<4x103/cm2<4x103/cm2<4x103/cm2常规尺寸:晶体方向:<111>,<100>and<110>±0.5°或特殊的方向;标准抛光片尺寸:Ф1"x0.3mm;Ф2"x0.5mm;(<110> Ra<5A,不化抛)注:也可根据客户需求提供特殊尺寸和方向的基片备注:1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装相关产品:A-Z系列晶体列表清洗机基片包装盒系列划片机旋转涂层机

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